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集成电路制造微加工质量检测工业立体维氏硬度计 当一组光刻掩膜版提交给集成电路制造商时，微加工的过程就开始了。光刻掩模版是所要制造的集成电路设计的物理表示，满足一定的布局布线规则。硅晶圆提供了集成电路的基底。晶圆的加工采用了磨削工艺，以产生平坦的表面，此时的晶圆仍具有导电性。晶圆的绝缘通过在表面生成一层绝缘的热氧化物来实现。淀积的导电层用于形成晶体管。在绝缘层和导电层淀积方面，已经开发了若干种技术，例如溅射、基于磁控溅射的物理气相淀积、化学气相淀积(CVD)，以及利用金属氧化物CVD、分子束外延和化学束外延等方法实现的外延层生长。导电层被划分为单独的电阻。 利用光刻技术将独立的电阻淀积到晶圆上。要终形成集成电路还需要进一步的处理，在这步处理中，可运用诸如图形转移、刻蚀、淀积和生长等工艺方法。正是这些方法，还被用来制作多种多样的、由硅基材料构成的微米级产品，服务于集成电路之外的诸多应用。微米加工集成电路制造传统上所采用的微米加工方法可以被归入机加丁下艺标准微机械加工工艺流程。基本工艺操作：初对衬底进行清洗，运用多种淀积技术覆以薄膜，运用光刻技术在其上制作掩膜，以刻蚀工艺来形成所需要的微米尺度的图形，用化学腐蚀或者等离子体刻蚀除去掩膜材料，终对所生成的结构进行特性测量。 微米尺度上的加工由添加、倍增和去除三个基本阶段构成。添加阶段是在衬底材料上涂覆一层薄膜。这可以采用在衬底上电镀或者向衬底喷涂一层液体膜并使之干燥的办法来实现；也可以通过氧化或者在大气室内涂层来形成薄膜。其他的方法包括：以熔融键合工艺将固体材料固定到衬底上，或者利用低压及高压真空技术来将薄的涂层粘贴到衬底上。图形的倍增复制也具有多种形式，在制备微米级尺寸结构特别是在制造微／纳米流体器件的管道状结构时是必不可少的工艺步骤
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