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| STM与AFM有何不同之处-电子硬度计技术简介 |
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STM与AFM有何不同之处-电子硬度计技术简介扫瞄式探针硬度计 (Scanning Probe Microscope, SPM)近年来随着科技的快速发展，各类产品皆有朝向微小化发展的趋势，而显微技术的发展无疑的是引领科技产品朝向微小化进展的重要关键，因此在 1981 年在苏黎世 IBM 公司的两名研究员 G. Binnig 与H. Rohrer利用新的显微概念成功的制造出台探针扫瞄式硬度计SPM即扫瞄式穿隧电流硬度计（Scanning Tunneling Microscope,STM），此发明突破了光学硬度计及电子硬度计的限制，将显微技术带入了一个新的时代，STM 是利用穿隧电流来成像的，因此样品需具有导电性方能测试。为此 G. Binnig 与史丹佛大学的 Quate 在 1985 年研发出可测试非导体物质之原子力硬度计（ Atomic Force Microscope, AFM），AFM 与 STM大的不同是：其表面成像原理是藉由探针与样品间微小（约为数个 Nano newtons）的原子力会因样品与探针间距离不同而有异来成像的。虽然 STM 与 AFM 可测得样品表面型态至原子层次的解析度，但无法得知样品的表面物理性质，因而科学家经由改良探针种类及成像原理陆续发展出一系列测试物质表面物性的扫瞄式探针显微技术，使得 SPM 的应用更加扩大，特别是因应现阶段奈米科技的发展，SPM 技术更是研究奈米材料的重要工具之一。而本实验所使用到的 CITS (Current Image Tunneling Spectroscopy, CITS ) 技术是由 AFM 衍生出来的，它可量测材料表面电阻的电流影像穿隧图谱(CITS)，进而得知导电样品表面之导电均匀度
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