硬度计测量晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料|新闻-上海研润光学硬度计厂

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硬度计测量晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料

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硬度计测量晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料根据载流子俘获模型，这些结果是可以理解的。在低掺杂浓度下，高电阻率是由于晶粒间界俘获了大部分载流子所引起的.随着掺杂浓度增加，多数的俘获态将被填满.于是，晶粒间界俘获载流子的能力将接近饱和。当注入的剂量进一步增加时，晶粒间界势垒将降低，正如所观察到的那样，引起电阻率急骤地减小。掺杂浓度进一步墩加，将导致电阻率进一步降低，接近单晶硅的电阻率。因为晶粒间界俘获软流子的数目限定了电导率，所以对于晶粒间界面积较小即较大晶粒的材料，电阻率和临界掺杂浓度应较低。我们以前的工作,研究了LPCVD硅薄膜结构，指出在580℃下生长的LPCVD薄膜开始是非晶态的，非常不稳定，甚至在中等沮度下退火也要迅速结晶。退火样晶的透射电子显微照片显示，开始呈非晶态的再结晶薄膜，同在620℃下生长的开始呈多晶态作同样退火的薄膜相比，有较大的晶粒.基于这个事实和上述模型，不同类型薄胶电性能的差异，可以直接地同每类薄膜的晶粒大小联系起来.

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