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微电子学蚀刻-硅微结构装精密检测数显洛氏硬度计 由于具有较小的粒子自由路径，所以不可能进行具有方向性的传输过程。在微电子学中仅起着第二位重要作用的特殊方法是湿式化学各向异性蚀刻方法。由碱性浸蚀剂去除硅的速率取决于被蚀刻晶体的晶向，湿式化学各向异性蚀刻方法构成了制造硅微机构的基础 上述提到的蚀刻方法可以按照各向异性和材料的选择性程度进行分类，主要过程如下， ·等离子蚀刻和圆桶状蚀刻 蚀刻的作用主要是阻止活性物质的化学反应如由等离子放电形成的酸根。由于相对较高的工作压力，蚀刻过程具有较大的各向同性。通过选择适当的酸根，蚀刻过程也可以变得具有高的选择性。 ·活性离子蚀刻(RIE) 这是一个物理和化学过程的组合。在稀释的离子束中，高能活性物质的定向移动可以通过加速电压维持在蚀刻表面的正确角度。 ·溅射蚀刻或离子铣削 这被认为是一个单纯的物理过程。化学惰性的离子如稀有气体的离子，在电场的作用下可以在离子束中产生并被加速到基体而产生物理溅射。 这些过程包括了蚀刻特性的整个范围，离子蚀刻是各向同性的。但也可以变成具有大的选择性，另一方面溅射蚀刻可以通过减少选择性而变得强烈地各向异性。而活性离子蚀刻(RIE)是介于中等各向异性和绝对选择性之间的一种方法。 封装技术 在所有制造系统和系统分组内通过把不同技术的构件集成于一个基体或一个壳内的技术，总结为一个“术语”——封装技术。在这一技术下，按照芯片—、线—、反转—芯片—、TAB-连接、封壳技术和PCB(印刷电路板)技术等进行了分类。
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