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| 芯片钝化层电镀或刻蚀样品表面粗糙度计量硬度计 |
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芯片钝化层电镀或刻蚀样品表面粗糙度计量硬度计 对于大多数光刻胶和光敏聚合物，存在一个稳定的发展趋势：使用低成本的水基显影液代替溶剂型显影液。此外，这也是绿色制造的需要。喷水或喷雾显影是水基显影液的必备工艺，浸泡式显影只适合于实验室研发或小批量生产。 光刻胶只是用于电镀或刻蚀的临时材料，因此光刻胶剥离是一个必要的工艺步骤，并且极大地影响终的结果。光刻胶必须在不损害结构的情况下被完全去除，例如对于电镀金属线或凸点的情况，残留光刻胶将限制种子层刻蚀。大多数酚醛树脂类的正性光刻胶材料可在碱性水溶液中轻松剥离。相反，负性光刻胶在曝光过程中聚合，因此必须采用更强的剥离剂，主要为NMP甚至胺类的有机溶剂。相对于将光刻胶压片的PCB工业，因此存在金属腐蚀的危险，封装中必须使用不腐蚀设备的剥离剂。采用两种不同的有机溶液剥离剂，对电镀SnCu凸点的光刻胶剥离进行了评估，种剥离剂强烈腐蚀Cu孔洞，与之相比，第二种剥离剂则腐蚀Sn。 用于再分配层(RDL)的聚合物一直采用聚合物涂层(如聚亚氨酯、丙烯酸树脂、环氧树脂和硅胶)来保护印制电路板(PCB)免受湿气、操作和环境影响。为了满足对离子高度敏感的芯片钝化层需求，必须开发特殊的半导体等级的聚合物。尤其对于环氧树脂，必须采用多步精馏过程，去除标准环氧树脂合成中作为副产品的钠离子与氯离子。聚酰亚胺作为存储芯片与其他器件的标准钝化层，用于芯片操作和测试过程中的表面保护。为了降低工艺成本，曾经开发了光敏合成树脂，但光敏树脂的基础材料价格更高。干法刻蚀需要掩膜板，掩膜板既可以是物理沉积和加工的金属层硬板，也可以通过涂覆厚光刻胶制备。
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