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晶圆制造样品厚度、晶向、微粒数实验图像硬度计
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晶圆制造样品厚度、晶向、微粒数实验图像硬度计  硅片的电阻率可从o.001 Ω·cm至20 000 Ω·cm不等。高电阻率的硅有时可替代电介质基片而用做绝缘基片。绝缘体上的硅晶圆片提供了佳的双面加工途径:在两层硅中间的绝缘层(通常是二氧化硅)提供了电绝缘,中间的氧化层可以作为停止层,这样两边的硅可以独立进行加工。薄层可以从硅晶圆片表面取下,转移到另一块基片表面,这块基片材料可为非硅材料。  硅片的直径有3英寸①,100mm,125mm,150 mm,200 mm和300 mm。除了尺寸,晶圆片的技术指标还包含电阻率和掺杂类型、厚度及其误差、晶向、微粒数等。  晶圆片可以是单晶、多晶或无定形态。硅、石英、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、铌酸锂(LiNb03)和蓝宝石(业03)是单晶基片的例子。多晶硅在太阳能电池的生产上具有广泛的应用,薄膜晶体管可在钢基片上制备。非晶基片也很普遍,如玻璃(金属氧化物,如Na20与si02混合)、熔融二氧化硅(si02与石英化学分子相同)和氧化铝(鸽03);其中,氧化铝是通用的微波电路基片。塑料片也可用做基片。对于特殊的基片,必须对其尺寸、纯度、光洁度、热稳定性和机械强度等进行评价。由于微加工设备是从硅片工艺开发出来的,所以圆形基片比正方形和长方形基片更易适应微加工工艺。

 


 
 
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