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| 金属一氧化物一半导体结构表面金相分析硬度计 |
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金属一氧化物一半导体结构表面金相分析硬度计 扩散和器件结构的关系是多方面的。首先，通过扩散在集成电路中提供有器件意义的区域，这些区域就是能得到晶体管、二极管、电阻和比较复杂的半导体结构的p型区和n型区；杂质扩散的第二个作用是在较复杂的集成电路中对半导体区域之间提供隔离；第三个作用是通过专门的扩散以达到改变某一区域的电导率(即集电极区域埋层)和改变半导体结构的复合(保护环扩散)，以及用来制控表面。在金属一氧化物一半导体结构中，杂质分布会改变表面附近反型层的类型和特性。后，扩散还可用作寿命控制，特别是在高速数字集成电路中，引入诸如金之类的杂质，就可降低材料载流子的复合时间。既然在复杂的集成电路中，各种类型的扩散可能出现在任一器件内，所以必须搞清楚一次扩散对另一次扩散的影响。这一点有特别重要的意义。这种相互作用与其它相互作用的相互关系，例如在加工半导体的同时所进行的氧化，也必须予以考虑。 为了说明制造功能块所使用的扩散和氧化过程，现在讨论一F简单晶体管的加工工序。所用的硅片是p一型的，其电阻率为5欧姆一厘米，厚度约为250微米。
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