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集成电路生产工艺光刻精细加工检测硬度计
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集成电路生产工艺光刻精细加工检测硬度计基本工艺过程 集成电路的生产过程仅由相对较少的几个基本步骤组成。但这些步骤可以在整个集成电路的生产中单独使用或几步组合后多次重复使用。各单独的步骤如下:薄膜沉积;光刻(薄膜图形);表面改性(氧化,掺杂);浊刻(薄膜去除); 当集成电路制造于一个晶片上后,晶片被切成很多芯片。接下来的过程可以用一个术语“封装技术”来定义,并带有下列副标题:切片(把晶片切成芯片);连接(芯片之间的电接触);装外壳(集成零件于系统中,封壳)。 薄膜沉积 薄膜沉积是重要的过程,尤其与硅技术相关的过程将在下面作简要的介绍。薄膜沉积对微型机构的影响将在第4章中洋细介绍。 制作涂层 通常制作涂层的步是用光敏聚合物层覆盖晶片。聚合物层借助于掩模进行曝光,然后显影。由于曝光改变了聚合物的溶解度,所以已曝光的区域可以在接下来的显影过程中被一些显影剂选择性地去除,掩模上所带有的结构信息可转换到聚合物薄膜上。在进行显影和加热后,聚合物层可以充当模板,粘接到晶片表面上,聚合物层可以阻止接下来的加工如蚀刻、掺杂或其他处理。因此,这一聚合物层被称作抗蚀剂或光刻胶。 化学气相沉积(CVD) 通用和重要的涂层沉积技术是气相化学沉积。这种方法的变异是低压化学气相沉积LPCVD和离子增强化学气相沉积技术PECVD。 硅片盘可以被加热到1200℃ CVD方法的基本过程是把热态不稳定的气相化合物冷凝并沉积到基体上。反应物分子裂解的临界能量既可以由加热的基体也可以由气体放电的光能或电能供应。

 


 
 
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